神秘顾客访问需要 800V—1200V的功率元器件辅助

发布日期：2023-12-28 23:30    点击次数：69

近日神秘顾客访问，昕感科技面向新动力范畴推出一款分量级SiC MOSFET器件新产物（N2M120007PP0），竣事了业界非凡的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。

人所共知，关于电动汽车来说，电驱动系统是最为中枢的部分。而在电机驱动系统中，MOSFET经常看成电机逆变器的关键元件，将直流电源退换为换取电源，以驱动三相电机运转。在这过程中，从电能到机械能的退换后果即电驱动系统后果就显得极其病笃。

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相干于传统的硅基MOSFET来说，SiC MOSFET收获于SiC材料的加合手，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温踏实性，不错使电机驱动系统具有更高的后果、更高的功率密度，何况领有更长的使用寿命。

现在，宽广的电动汽车齐运转向800V高压平台迁徙，需要 800V—1200V的功率元器件辅助。而更高效的1200V SiC MOSFET恰是电动汽车800V高压平台必弗成少的关键器件。

关于SiC MOSFET来说，导通电阻是一项病笃的性能筹谋，反应了器件在导通状况下的损耗和后果。在1200V的职责电压下，SiC MOSFET经常具备更低的导通电阻，不错竣事更高的功率密度和更低的能量损耗。

天然现在一些海外大厂的SiC MOSFET的导通电阻不错抛弃在1200V/3mΩ以下，然则国产SiC MOSFET厂商由于起步相对较晚，现在导通电阻水平大齐齐照旧在1200V/10mΩ以上。显然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片如故达到了业界非凡的水平。

据先容，昕感这款新品基于车规级工艺平台，领受先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，勾搭TO-247-4L Plus封装，神秘顾客新闻有劲普及了国产碳化硅器件的性能。新产物对准新动力汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关哄骗，助力新动力范畴快速更新换代，为国度“碳达峰、碳中庸”方向的竣事作念出孝顺。

昕感新品领受出色的TO-247-4L Plus封装，具备开尔文源极和低热阻等上风，概况显耀缩短开关损耗及轰动，普及器件散热施展。

昕感新品职责电流可达300A以上，具有正温度扫数，可省略竣事大电流并联。同期，昕感新品的走电流极低（<1μA@1200V），具备优厚的高压阻断特质。

格隆汇12月22日丨平煤股份(601666.SH)公布，截至2023年12月22日，公司通过集中竞价交易方式已累计回购股份2366.03万股，占公司总股本的比例约为1.02%，与上次披露数相比增加0.24%，购买的最高价为12.01元/股、最低价为9.76元/股，已支付的总金额为2.49亿元(不含印花税、交易佣金等交易费用)。

△N2M120007PP0器件部分静态特质

昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性窥伺（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同要求下往往动态开关。

△N2M120007PP0器件800V/200A下的开关波形

除TO-247-4L Plus等单管封装外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块，便于泛泛竣事其在汽车主驱等新动力范畴中的哄骗。

昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技巧龙套立异和产物研发分娩，辛苦于成为国内非凡和具有海外影响力的功率半导体变革引颈者。昕感科技领有从器件到模块再到哄骗的全经过高度定制化技巧身手，概况匹配各范畴客户需求，匡助客户快速开荒相反化竞争上风。

昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款碳化硅器件和模块产物量产。其中，1200V SiC MOSFET产物具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等导通电阻规格，模块产物对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，也标记着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器件达到车规级可靠性水平。

剪辑：芯智讯-浪客剑神秘顾客访问

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